本文對載子通過金屬接觸介面能障之傳輸特性加以研究，首先建立載子傳輸之一般關
係式，然後將其應用於金屬與絕緣體，及金屬與半導體之介面能障上。
在金屬與絕緣體介面能障之研究方面，對藉以判別蕭得基傳導方式之蕭德基圖(Schot
tky Plot) 之圖形，在各種被忽略因素下之變化，加以探討。此種一直被忽略的因素
是，兩金屬極之非對稱性，逆向電流，電子複影對能障之影響，以及所加電壓之極性
。經研究後發現，只有在電壓值超過數伏，及絕緣體之介電常數D，與絕緣體厚度S之
積值，大於約1000A 之情況下，所繪得之蕭德基圖形，才接近傳統沿用之直線形，反
之，其圖形可為單上彎，單下彎，雙彎，以及三彎，依所加電壓之方向，數值，兩極
間能障高之差畢，以及DS積值等之聯合效果來決定。此項研究成果，可由數種實驗證
明無誤。
在金屬與半導體介面能障之研究方面，對影響鋁與矽(AL-Si) 接觸特性之因素，鎂與
矽(Mg-Si) 接觸之電流傳輸特性，以及製造鋅與矽(Zn-Si) 接觸之新方法等，分別加
以探討。結果發現，由寬為2W（由電流擠聚效應所造成之有效寬度）之環形金屬，或
寬為2W之長狹修形金屬，與經過重滲雜之半導體薄片接合，再經攝氏400 度及十分鐘
之熱處理，所製成之接觸，具有優良之電阻性接觸特性。又若將所發現之接觸特性善
加利用，則對積體電路之設計上，可實現超傳統之改進。同時所發現利用控制基片溫
度來製造鋅與矽(Zn-Si) 接觸之新方法，不僅步驟簡化，效高，經濟，更可將其推廣
於其他材料，製造其他固態電子組件。